8.2A, 30V, 0.021ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SO-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 97 mJ |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 8.2 A |
最大漏源导通电阻 | 0.021 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32.4 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | NOT SPECIFIED |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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