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BSO303P

产品描述8.2A, 30V, 0.021ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小994KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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BSO303P在线购买

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BSO303P概述

8.2A, 30V, 0.021ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8

BSO303P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码SOT
包装说明SO-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)97 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)8.2 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)32.4 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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