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HM-65162883

产品描述2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CDIP24
产品类别存储   
文件大小143KB,共9页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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HM-65162883概述

2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CDIP24

2K × 8 标准存储器, 90 ns, CDIP24

HM-65162883规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量24
最大工作温度125 Cel
最小工作温度-55 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间90 ns
加工封装描述陶瓷, DIP-24
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸IN-线
端子形式THROUGH-孔
端子间距2.54 mm
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料陶瓷, 玻璃-SEALED
温度等级MILITARY
内存宽度8
组织2K × 8
存储密度16384 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数2048 words
位数2K
内存IC类型标准存储器
串行并行并行

HM-65162883相似产品对比

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描述 2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP24 2K X 8 STANDARD SRAM, 90 ns, CQCC32 2K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CQCC32
功能数量 1 1 1 1 1 - -
端子数量 24 24 24 24 24 - -
最大工作温度 125 Cel 125 Cel 125 Cel 125 Cel 125 Cel - -
最小工作温度 -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel -55 Cel - -
最大供电/工作电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - -
最小供电/工作电压 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - -
额定供电电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - -
最大存取时间 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns 70 ns - -
加工封装描述 陶瓷, DIP-24 陶瓷, DIP-24 陶瓷, DIP-24 陶瓷, DIP-24 - - -
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED - -
工艺 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - -
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的 - -
包装尺寸 IN-线 IN-线 IN-线 IN-线 IN-线 - -
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 - -
端子间距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - - -
端子涂层 锡 铅 锡 铅 锡 铅 锡 铅 锡 铅 - -
端子位置 - -
包装材料 陶瓷, 玻璃-SEALED 陶瓷, 玻璃-SEALED 陶瓷, 玻璃-SEALED 陶瓷, 玻璃-SEALED 陶瓷, 玻璃-SEALED - -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - -
内存宽度 8 8 8 8 8 - -
组织 2K × 8 2K × 8 2K × 8 2K × 8 2K × 8 - -
存储密度 16384 deg 16384 deg 16384 deg 16384 deg 16384 deg - -
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - -
位数 2K 2K 2K 2K 2K - -
内存IC类型 标准存储器 标准存储器 标准存储器 标准存储器 标准存储器 - -
串行并行 并行 并行 并行 并行 并行 - -
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