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256MD-50-800: 产品描述Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, CSP, MICRO, BGA-62; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共68页; 制造商Rambus Inc

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256MD-50-800概述

Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, CSP, MICRO, BGA-62

	256MD-50-800	288MD-50-800	288MD-45-600	256MD-45-600
描述	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, CSP, MICRO, BGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, CSP, MICRO, BGA-62	Rambus DRAM, 16MX18, CMOS, CSP, MICRO, BGA-62	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, CSP, MICRO, BGA-62
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
针数	62	62	62	62
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
JESD-30 代码	R-XBGA-B62	R-XBGA-B62	R-XBGA-B62	R-XBGA-B62
内存密度	268435456 bit	301989888 bit	301989888 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	16	18	18	16
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	62	62	62	62
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX16	16MX18	16MX18	16MX16
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Base Number Matches	1	1	1	-