Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, POWER, INT-A-PAK-5
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| 针数 | 5 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X5 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 385 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 385 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr） | 250 ns |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 200 ns |
| 标称断开时间 (toff) | 125 ns |
| 最大开启时间（吨） | 250 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 200 ns |
| VCEsat-Max | 2.7 V |
| Base Number Matches | 1 |
| IRGKIN025M12 | IRGKIN025M12PBF | |
|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, POWER, INT-A-PAK-5 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, POWER, INT-A-PAK-5 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| 针数 | 5 | 5 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 50 A | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X5 | R-PUFM-X5 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 5 | 5 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 385 W | 385 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr） | 250 ns | 250 ns |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 |
| 晶体管应用 | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 200 ns | 200 ns |
| 标称断开时间 (toff) | 125 ns | 125 ns |
| 最大开启时间（吨） | 250 ns | 250 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 200 ns | 200 ns |
| VCEsat-Max | 2.7 V | 2.7 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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