MEMORY MODULE,SRAM,128KX32,CMOS,PGA,66PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-XPGA-P66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA66,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 最大待机电流 | 0.2 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.45 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| Base Number Matches | 1 |
| 32S128-45/CA1ZC | 32S128-35/BZCJC | 32S128-85/BZCJC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MEMORY MODULE,SRAM,128KX32,CMOS,PGA,66PIN,CERAMIC | MEMORY MODULE,SRAM,128KX32,CMOS,PGA,66PIN,CERAMIC | MEMORY MODULE,SRAM,128KX32,CMOS,PGA,66PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | PGA, PGA66,11X11 | PGA, PGA66,11X11 | PGA, PGA66,11X11 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 45 ns | 35 ns | 85 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-XPGA-P66 | S-XPGA-P66 | S-XPGA-P66 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
| 端子数量 | 66 | 66 | 66 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 128KX32 | 128KX32 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | PGA | PGA | PGA |
| 封装等效代码 | PGA66,11X11 | PGA66,11X11 | PGA66,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最大待机电流 | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.45 mA | 0.45 mA | 0.45 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | - | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
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