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JANSH2N7269: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小397KB，共12页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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JANSH2N7269概述

Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

JANSH2N7269规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	26 A
最大漏极电流 (ID)	26 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	104 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/603
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	280 ns
最大开启时间（吨）	173 ns
Base Number Matches	1

JANSH2N7269相似产品对比

	JANSH2N7269	2N7268
描述	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	26 A	34 A
最大漏极电流 (ID)	26 A	34 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	104 A	136 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	280 ns	300 ns
最大开启时间（吨）	173 ns	235 ns
Base Number Matches	1	1

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