100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILIT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 6000 ns |
| 最大开启时间（吨） | 200 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| BN1L3Z | BN1L3Z-A | |
|---|---|---|
| 描述 | 100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | BN1L3Z-A |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILIT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 6000 ns | 6000 ns |
| 最大开启时间（吨） | 200 ns | 200 ns |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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