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BZX79C3V3T50A

产品描述DIODE 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regulator Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小21KB,共2页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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BZX79C3V3T50A概述

DIODE 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regulator Diode

BZX79C3V3T50A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗95 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.3 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZX79C 3V3 - BZX79C 33 Series
Discrete POWER & Signal
Technologies
BZX79C 3V3 - 33 Series Half Watt Zeners
Absolute Maximum Ratings*
Parameter
Storage Temperature Range
Maximum Junction Operating Temperature
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Surge Power**
TA = 25°C unless otherwise noted
Tolerance: C = 5%
Value
-65 to +200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
Units
°C
°C
°C
mW
mW/°C
W
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
**
Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 50 degrees C.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
DO-35
Electrical Characteristics
Device
MIN
BZX79C 3V3
BZX79C 3V6
BZX79C 3V9
BZX79C 4V3
BZX79C 4V7
BZX79C 5V1
BZX79C 5V6
BZX79C 6V2
BZX79C 6V8
BZX79C 7V5
BZX79C 8V2
BZX79C 9V1
BZX79C 10
BZX79C 11
BZX79C 12
BZX79C 13
BZX79C 15
BZX79C 16
BZX79C 18
BZX79C 20
BZX79C 22
BZX79C 24
BZX79C 27
BZX79C 30
BZX79C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
TA = 25°C unless otherwise noted
V
Z
*
(V)
MAX
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
Z
Z
(Ω)
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
@
I
ZT
(mA)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
(Ω)
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
@
I
ZT
(mA)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
@
I
R
(µA)
25
15
10
5.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
T
C
(mV/°C)
MIN
MAX
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
- 7.0
- 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
+ 0.3
+ 1.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
V
F
Foward Voltage = 1.5 V Maximum @ I
F
= 100 mA for all BZX 79 series
*
Pulse Test: Pulse Width
£
300
ms,
Duty Cycle
£
2.0%
ã
1997 Fairchild Semiconductor Corporation

 
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