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5962-8852512ZA

产品描述EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28
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文件大小400KB,共14页
制造商e2v technologies
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5962-8852512ZA概述

EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28

5962-8852512ZA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明DFP,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间200 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码R-CDFP-F28
JESD-609代码e0
长度18.3 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.02 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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