ACT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | OUTPUT ENABLE ACTIVE HIGH FOR ONE FUNCTION |
| 控制类型 | ENABLE LOW/HIGH |
| 系列 | ACT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 8 ns |
| 传播延迟（tpd） | 8 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 1.905 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9218501M2A | 5962-9218501MRA | |
|---|---|---|
| 描述 | ACT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | ACT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | OUTPUT ENABLE ACTIVE HIGH FOR ONE FUNCTION | OUTPUT ENABLE ACTIVE HIGH FOR ONE FUNCTION |
| 控制类型 | ENABLE LOW/HIGH | ENABLE LOW/HIGH |
| 系列 | ACT | ACT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm | 24.51 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A |
| 位数 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP20,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 8 ns | 8 ns |
| 传播延迟（tpd） | 8 ns | 8 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 1.905 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
聊聊、笑笑、闹闹
无线连接
国产芯片交流
ARM技术
ARM技术
求职招聘
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
