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KM41C4002CP-6

产品描述Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
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文件大小608KB,共19页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM41C4002CP-6概述

Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

KM41C4002CP-6规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDIP-T18
长度22.02 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度4.65 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

KM41C4002CP-6相似产品对比

KM41C4002CP-6 KM41C4002CP-8 KM41C4002CP-7 KM41C4002CP-5
描述 Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Static Column DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Static Column DRAM, 4MX1, 50ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, DIP, DIP,
针数 18 18 18 18
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN
最长访问时间 60 ns 80 ns 70 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18
长度 22.02 mm 22.02 mm 22.02 mm 22.02 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 4.65 mm 4.65 mm 4.65 mm 4.65 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
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