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MBR3050FCT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共6页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
标准
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MBR3050FCT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MBR3050FCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Schottky Barrier Rectifier
Formosa MS
MBR3040FCT THRU MBR30200FCT
List
List................................................................................................. 1
Package outline............................................................................... 2
Features.......................................................................................... 2
Mechanical data............................................................................... 2
Maximum ratings .............................................................................. 2
Rating and characteristic curves........................................................ 3
Pinning information........................................................................... 4
Marking........................................................................................... 4
Tube packing.................................................................................... 4
Suggested thermal profiles for soldering processes............................. 5
High reliability test capabilities........................................................... 6
http://www.formosams.com/
TEL:886-2-22696661
FAX:886-2-22696141
Document ID
Issued Date
2009/02/10
Revised Date
2012/12/04
Revision
C
Page.
6
Page 1
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