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CAT24FC17GYI-TE13

产品描述CAT24FC17GYI-TE13
产品类别存储    存储   
文件大小633KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAT24FC17GYI-TE13概述

CAT24FC17GYI-TE13

CAT24FC17GYI-TE13规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

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CAT24FC17
16-kb I
2
C Serial EEPROM
FEATURES
I
400 kHz (2.5 V) I
2
C bus compatible
I
2.5 to 5.5 volt operation
I
Low power CMOS technology
I
16-byte page write buffer
I
Industrial and extended temperature ranges
I
Self-timed write cycle with auto-clear
I
1,000,000 program/erase cycles
I
100 year data retention
I
8-pin DIP, 8-pin SOIC, 8-pin TSSOP, 8-pin MSOP
and TDFN packages
- “Green” package option available
I
256 x 8 Memory organization
I
Hardware write protect
- Top 1/2 array protected when WP at V
IH
DESCRIPTION
The CAT24FC17 is a 16-kb Serial CMOS EEPROM
internally organized as 2048 words of 8 bits each.
Catalyst’s advanced CMOS technology substantially
reduces device power requirements. The CAT24FC17
PIN CONFIGURATION
DIP Package (P, L, GL)
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SOIC Package (J, W, GW)
NC
NC
NC
VSS
TSSOP Package (U, Y, GY)
MSOP Package (R, Z, GZ)
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
i
D
VSS
3
4
NC
NC
NC
1
2
c
s
VCC
WP
SCL
SDA
n
o
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
VCC 1
WP 2
SCL 3
SDA 4
1
2
3
4
8
7
6
5
i
t
VCC
WP
SCL
SDA
u
n
VCC
VSS
SDA
WP
SCL
features a 16-byte page write buffer. The device operates
via the I
2
C bus serial interface has a special write
protection feature and is available in 8-pin DIP, SOIC,
TSSOP, MSOP and TDFN packages.
BLOCK DIAGRAM
EXTERNAL LOAD
d
e
a
P
XDEC
t
r
DOUT
ACK
SENSE AMPS
SHIFT REGISTERS
WORD ADDRESS
BUFFERS
COLUMN
DECODERS
START/STOP
LOGIC
E
2
PROM
CONTROL
LOGIC
DATA IN STORAGE
TDFN Package
(RD4, ZD4, GD4)
8 NC
7 NC
6 NC
5 VSS
HIGH VOLTAGE/
TIMING CONTROL
STATE COUNTERS
PIN FUNCTIONS
Pin Name
NC
SDA
SCL
WP
V
CC
Function
No Connect
Serial Data/Address
Serial Clock
Write Protect
2.5 V to 5.5 V Power Supply
Ground
Doc. No. 1077, Rev. F
* Catalyst Semiconductor is licensed by Philips Corporation
to carry the I
2
C Bus Protocol.
© 2005 by Catalyst Semiconductor, Inc.
Characteristics subject to change without notice
V
SS
1
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