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2N652A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共1页
制造商Semiconductor Technology Inc
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2N652A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N652A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度100 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)1.2 MHz
Base Number Matches1

2N652A相似产品对比

2N652A 2N527 2N465 2N652 2N651
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.1 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
配置 Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 100 65 45 100 50
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 100 °C 100 °C 85 °C 100 °C 100 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.225 W 0.15 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 1.2 MHz 1.5 MHz 0.8 MHz 1.2 MHz 1 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1

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