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71028L55DB

产品描述Standard SRAM, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP28
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文件大小472KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71028L55DB概述

Standard SRAM, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP28

71028L55DB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最小待机电流2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间6
Base Number Matches1

71028L55DB相似产品对比

71028L55DB 71028L35D 71028L35DB 71028L30DB 71028L45D 71028L45DB 71028L45P 71028L35P 71028S35P
描述 Standard SRAM, 256KX4, 55ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 30ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, PDIP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli _compli _compli _compli not_compliant not_compliant
最长访问时间 55 ns 35 ns 35 ns 30 ns 45 ns 45 ns 45 ns 35 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4 4
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 -
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260 -
处于峰值回流温度下的最长时间 6 6 6 6 6 6 6 6 -
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