IRFY240C: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小212KB，共7页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRFY240C概述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

IRFY240C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	580 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A
最大漏极电流 (ID)	16 A
最大漏源导通电阻	0.18 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA
JESD-30 代码	R-XSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	64 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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PD-91289E

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-257AA)

Product Summary

Part Number

IRFY240C

IRFY240CM

IRFY240C,IRFY240CM

200V, N-CHANNEL

HEXFET

MOSFET TECHNOLOGY

DS(on)

0.18

Ω

0.18

Ω

16A

Eyelets

Ceramic

HEXFET

MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry design achieves very low on-state

resistance combined with high transconductance.

HEXFET

transistors also feature all of the well-established advantages

of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,

ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as

switching power supplies, motor controls, inverters,

choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and

virtually any application where high reliability is required.

The

HEXFET

transistor’s totally isolated package eliminates

the need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

TO-257AA

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Ceramic Eyelets

Ideally Suited For Space Level

Applications

Absolute Maximum Ratings

Parameter

ID @ VGS = 10V, TC = 25°C Continuous Drain Current

ID @ VGS = 10V, TC = 100°C Continuous Drain Current

IDM

Pulsed Drain Current

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

T STG

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)

4.3 (Typical)

10.2

100

0.8

±20

580

5.0

-55 to 150

Units

W/°C

V/ns

°C

www.irf.com

02/06/08

IRFY240C相似产品对比

	IRFY240C	IRFY240CM
描述	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	580 mJ	580 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A	16 A
最大漏极电流 (ID)	16 A	16 A
最大漏源导通电阻	0.18 Ω	0.18 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA	TO-257AA
JESD-30 代码	R-XSFM-P3	R-XSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	100 W	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	64 A	64 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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