IDT7006L20PFI8,IDT7006L20PFI8 pdf中文资料,IDT7006L20PFI8引脚图,IDT7006L20PFI8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7006L20PFI8: 产品描述Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64; 产品类别存储存储; 文件大小237KB，共20页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7006L20PFI8概述

Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP64,.66SQ,32
针数	64
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	131072 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	64
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP64,.66SQ,32
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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