Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, FP-68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | FP-68 |
| 针数 | 68 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001 |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-XQFP-F68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.08 mm |
| 内存密度 | 131072 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 16KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | QFL68,.95SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 3.68 mm |
| 最大待机电流 | 0.03 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.34 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9150809MYA | 5962-9150809MXA | |
|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, FP-68 | Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 |
| 零件包装代码 | QFP | PGA |
| 包装说明 | FP-68 | PGA, PGA68,11X11 |
| 针数 | 68 | 68 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A001 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 25 ns | 25 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-XQFP-F68 | R-CPGA-P68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 131072 bit | 131072 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 68 | 68 |
| 字数 | 16384 words | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 16KX8 | 16KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP | PGA |
| 封装等效代码 | QFL68,.95SQ | PGA68,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.34 mA | 0.34 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT | PIN/PEG |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | PERPENDICULAR |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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