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BYM36E/30133

产品描述DIODE 2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小384KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BYM36E/30133概述

DIODE 2.9 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYM36E/30133规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.78 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流65 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2.9 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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