KFG1216D2A-DIB50,KFG1216D2A-DIB50 pdf中文资料,KFG1216D2A-DIB50引脚图,KFG1216D2A-DIB50电路-Datasheet-电子工程世界

KFG1216D2A-DIB50: 产品描述Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共114页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KFG1216D2A-DIB50概述

Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	76 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	12 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	63
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.9 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.65 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9.5 mm
Base Number Matches	1

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