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IDT6116LA35L24

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC24, LCC-24
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文件大小325KB,共12页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6116LA35L24概述

Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC24, LCC-24

IDT6116LA35L24规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码LCC
包装说明LCC-24
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N24
JESD-609代码e0
长度10.16 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC24,.3X.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最大待机电流0.00002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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