5962-9175801MPA放大器基础信息：
5962-9175801MPA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-8
5962-9175801MPA放大器核心信息：
5962-9175801MPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：10 µA他的最大平均偏置电流为20 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-9175801MPA的标称压摆率有1100 V/us。厂商给出的5962-9175801MPA的最小压摆率为430 V/us.其最小电压增益为400。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-9175801MPA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为300000 kHz。5962-9175801MPA的功率为NO。其可编程功率为NO。
5962-9175801MPA的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。5962-9175801MPA的输入失调电压为3500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962-9175801MPA的宽度为：7.62 mm。
5962-9175801MPA的相关尺寸：
5962-9175801MPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
5962-9175801MPA放大器其他信息：
5962-9175801MPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962-9175801MPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其不属于微功率放大器。5962-9175801MPA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-9175801MPA的封装代码是：DIP。
5962-9175801MPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9175801MPA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
5962-9175801MPA放大器基础信息：
5962-9175801MPA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-8
5962-9175801MPA放大器核心信息：
5962-9175801MPA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：10 µA他的最大平均偏置电流为20 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-9175801MPA的标称压摆率有1100 V/us。厂商给出的5962-9175801MPA的最小压摆率为430 V/us.其最小电压增益为400。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-9175801MPA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为300000 kHz。5962-9175801MPA的功率为NO。其可编程功率为NO。
5962-9175801MPA的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。5962-9175801MPA的输入失调电压为3500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962-9175801MPA的宽度为：7.62 mm。
5962-9175801MPA的相关尺寸：
5962-9175801MPA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
5962-9175801MPA放大器其他信息：
5962-9175801MPA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962-9175801MPA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其不属于微功率放大器。5962-9175801MPA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-9175801MPA的封装代码是：DIP。
5962-9175801MPA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9175801MPA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 20 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 10 µA |
| 标称共模抑制比 | 65 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 3500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-5 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 430 V/us |
| 标称压摆率 | 1100 V/us |
| 供电电压上限 | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 300000 kHz |
| 最小电压增益 | 400 |
| 宽带 | YES |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9175801MPA | 5962-9175801M2A | 5962F9175801MPA | 5962F9175801MXA | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 300 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 300 MHz BAND WIDTH, CQCC20, LCC-20, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 300 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 300 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP | QFN | DIP | SOIC |
| 包装说明 | CERDIP-8 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP10,.45 |
| 针数 | 8 | 20 | 8 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 20 µA | - | 20 µA | 20 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 10 µA | - | 10 µA | 10 µA |
| 标称共模抑制比 | 65 dB | - | 65 dB | 65 dB |
| 频率补偿 | YES | - | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 3500 µV | - | 3500 µV | 3500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | - | R-GDIP-T8 | R-GDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 低-偏置 | NO | - | NO | NO |
| 低-失调 | NO | - | NO | NO |
| 微功率 | NO | - | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -7 V | - | -7 V | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | - | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | - | 8 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | - | DIP8,.3 | SOP10,.45 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO | - | NO | NO |
| 电源 | +-5 V | - | +-5 V | +-5 V |
| 可编程功率 | NO | - | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | - | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 1100 V/us | - | 1100 V/us | 1100 V/us |
| 供电电压上限 | 7 V | - | 7 V | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | - | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | - | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 300000 kHz | - | 300000 kHz | 300000 kHz |
| 最小电压增益 | 400 | - | 630 | 630 |
| 宽带 | YES | - | YES | YES |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | 6.12 mm |
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