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MBR3504W

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 400V V(RRM), Silicon, MBRW, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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MBR3504W概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 400V V(RRM), Silicon, MBRW, 4 PIN

MBR3504W规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明S-PUFM-W4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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MBR10/15/25/35/50A W SERIES
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
- 50
to
1000Volts
- 10/15/25/35/50
Amperes
FEATURES
Surge overload -240~500 amperes peak
Low forward voltage drop
Mounting position: Any
Electrically isolated base -2000 Volts
Materials used carries U/L recognition
1.200
(30.5)MIN
MBRW
METAL HEAT SINK
.335(8.5)
.295(7.5)
.042(1.07)
.038(0.97)
Hole for
No.8 screw
193"(4.9)diam
1.133(28.8)
1.114(28.3)
1.133(28.8)
1.114(28.3)
.732(18.6)
.693(17.6)
.469(11.9)
.429(10.9)
.732(18.6)
.693(17.6)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load 60H
Z
.
For capacitive load current by 20%
MBR-W
10005
MBR-W
1001
1501
2501
3501
5001
100
70
10
MBR
10W
I
FSM
240
MBR
15W
300
MBR-W
1002
1502
2502
3502
5002
200
140
15
MBR
25W
400
MBR-W
1004
1504
2504
3504
5004
400
280
25
MBR
35W
MBR-W
1006
1506
2506
3506
5006
600
420
MBR-W
1008
1508
2508
3508
5008
800
560
35
MBR
50W
MBR-W
1010
1510
2510
3510
5010
1000
700
50
500
V
V
A
UNIT
CHARACTERISTICS
SYMBOL
15005
25005
35005
50005
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Output Current at
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop
Per Element at 5.0/7.5/12.5/17./25.0 Peak
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage Per Element
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@T
J
=25℃
@Tc=55℃
V
RRM
V
RMS
I
(AV)
50
35
400
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
-55 to +150
-55 to +150
V
μA
REV. 1, 30-Dec-2011
~ 456 ~

 
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