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SF3B42

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 100 V, SCR
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小170KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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SF3B42概述

Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 100 V, SCR

SF3B42规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压0.8 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流4.7 A
重复峰值关态漏电流最大值2000 µA
断态重复峰值电压100 V
重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

SF3B42相似产品对比

SF3B42 SF3D42
描述 Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 100 V, SCR Silicon Controlled Rectifier, 4.7 A, 200 V, SCR
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA
最大直流栅极触发电压 0.8 V 0.8 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 4.7 A 4.7 A
重复峰值关态漏电流最大值 2000 µA 2000 µA
断态重复峰值电压 100 V 200 V
重复峰值反向电压 100 V 200 V
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
触发设备类型 SCR SCR

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