Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYV95B(Z)

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BYV95B(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小65KB，共2页; 制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd; 标准

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BYV95B(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15,

BYV95B(Z)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.6 V
JEDEC-95代码	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.25 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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FEATURES

GALAXY ELECTRICA

BYV95A(Z)---BYV95C(Z)

VOLTAGE RANGE: 200 --- 600 V

CURRENT: 1.5 A

FAST RECOVERY RECTIFIERS

Low cost

Diffused junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned with Freon, Alcohol,Is opropanol and

sim ilar solvents

DO - 15

MECHANICAL DATA

Cas e:JEDEC DO--15,m olded plastic

Term inals: Axial lead ,s olderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.014ounces,0.39 gram s

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

am bient tem perature unless otherwise s pecified.

Single phase,half wave,50Hz,resis tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.

BYV95A

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forw ard rectified current

9.5mm lead length,

=75

BYV95B

400

280

200

1.5

BYV95C

600

420

600

UNITS

RRM

RMS

F(AV)

200

140

200

Peak forw ard surge current

10ms single half-sine-w ave

superimposed on rated load

=125

FSM

50.0

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ 3.0A

Maximum reverse current

at rated DC blocking voltage

=25

=100

STG

1.6

5.0

100.0

250

-55 ---- + 150

Maximum reverse recovery time (Note1)

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

NOTE:1. Measured with I

=0.5A, I

=1A, I

=0.25A.

2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.

3. Thermal resistance f rom junction to ambient.

www.galaxycn.com

Document Number 0261047

GALAXY ELECTRICAL

BYV95B(Z)相似产品对比

	BYV95B(Z)	BYV95C(Z)	BYV95A(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.6 V	1.6 V	1.6 V
JEDEC-95代码	DO-15	DO-15	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A	50 A
元件数量	1	1	1
相数	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1.5 A	1.5 A	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	400 V	600 V	200 V
最大反向电流	5 µA	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.25 µs	0.25 µs	0.25 µs
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1	-
厂商名称	-	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd

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