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DSC2002-R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小485KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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DSC2002-R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

DSC2002-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz
Base Number Matches1

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
DSC2002
Silicon NPN epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to DSA2002
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
High forward current transfer ratio h
FE
with excellent linearity
Eco-friendly Halogen-free package
Package
Code
Mini3-G3-B-B
Name
Pin
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Packaging
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
Rating
60
50
5
500
1
200
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
Marking Symbol: C2
Electrical Characteristics
T
a
= 25°C±3°C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector-base cutoff current (Emitter open)
Forward current transfer ratio
*1
Collector-emitter saturation voltage
*1
Transition frequency
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Code
Rank
h
FE
Marking Symbol
R
R
120 to 240
C2R
S
S
170 to 340
C2S
0
No-rank
120 to 340
C2
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
h
FE1 *2
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
I
C
= 10
mA,
I
E
= 0
I
C
= 2 mA, I
B
= 0
I
E
= 10
mA,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V, I
E
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 30 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 50 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Min
60
50
5
Typ
Max
Unit
V
V
V
0.1
120
40
0.1
160
4.8
15
0.6
340
mA
V
MHz
pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.
Publication date: January 2011
Ver. DED
1

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下) Panasonic(松下)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 170 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 160 MHz 160 MHz 160 MHz
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