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NE800495-7

产品描述RF SMALL SIGNAL, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小636KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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NE800495-7概述

RF SMALL SIGNAL, FET

NE800495-7规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.6 A
最大漏极电流 (ID)1.6 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)8 dB
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

NE800495-7相似产品对比

NE800495-7 NE800495-4
描述 RF SMALL SIGNAL, FET RF SMALL SIGNAL, FET
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.6 A 1.6 A
最大漏极电流 (ID) 1.6 A 1.6 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 8 dB 8.5 dB
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE

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