RF SMALL SIGNAL, FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.6 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.6 A |
FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 8 dB |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches | 1 |
NE800495-7 | NE800495-4 | |
---|---|---|
描述 | RF SMALL SIGNAL, FET | RF SMALL SIGNAL, FET |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.6 A | 1.6 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.6 A | 1.6 A |
FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带 | C BAND | C BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 8 dB | 8.5 dB |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
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