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BAV101112

产品描述DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小136KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BAV101112概述

DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAV101112规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流9 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

BAV101112相似产品对比

BAV101112 BAV100112 BAV103112 BAV102112
描述 DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流 9 A 9 A 9 A 9 A
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 120 V 60 V 250 V 200 V
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA 0.1 µA 0.1 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END END
Base Number Matches 1 1 1 -
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