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MT41K512M8RH-125AAT:E

产品描述DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78
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文件大小16MB,共211页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT41K512M8RH-125AAT:E概述

DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78

MT41K512M8RH-125AAT:E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度10.5 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织512MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9 mm
Base Number Matches1

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4Gb: x8, x16 Automotive DDR3L SDRAM
Description
Automotive DDR3L SDRAM
MT41K512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks
MT41K256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks
Description
DDR3L SDRAM (1.35V) is a low voltage version of the
DDR3 (1.5V) SDRAM. Refer to the DDR3 (1.5V)
SDRAM data sheet specifications when running in
1.5V compatible mode.
Self refresh temperature (SRT)
Automatic self refresh (ASR)
Write leveling
Multipurpose register
Output driver calibration
AEC-Q100
PPAP submission
8D response time
Features
• V
DD
= V
DDQ
= 1.35V (1.283–1.45V)
• Backward compatible to V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
– Supports DDR3L devices to be backward com-
patible in 1.5V applications
• Differential bidirectional data strobe
• 8n-bit prefetch architecture
• Differential clock inputs (CK, CK#)
• 8 internal banks
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT)
for data, strobe, and mask signals
• Programmable CAS (READ) latency (CL)
• Programmable posted CAS additive latency (AL)
• Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
• Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
• Self refresh mode
• T
C
of –40°C to +105°C
– 64ms, 8192-cycle refresh at –40°C to +85°C
– 32ms at +85°C to +105°C
Options
• Configuration
– 512 Meg x 8
– 256 Meg x 16
• FBGA package (Pb-free) – x8
– 78-ball (10.5mm x 12mm) Rev. D
– 78-ball (9mm x 10.5mm) Rev. E
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 96-ball (10mm x 14mm) Rev. D
– 96-ball (9mm x 14mm) Rev. E
• Timing – cycle time
– 1.071ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
– 1.875ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
• Product certification
– Automotive
• Operating temperature
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C)
– Automotive (–40°C
T
C
+105°C)
• Revision
Marking
512M8
256M16
RA
RH
RE
HA
-107
-125
-15E
-187E
A
IT
AT
:D/:E
Table 1: Key Timing Parameters
Speed Grade
-107
1, 2, 3
-125
1, 2
-15E
1
-187E
Notes:
Data Rate (MT/s)
1866
1600
1333
1066
Target
t
RCD-
t
RP-CL
13-13-13
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
(ns)
t
RP
(ns)
CL (ns)
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
1. Backward compatible to 1066, CL = 7 (-187E).
2. Backward compatible to 1333, CL = 9 (-15E).
3. Backward compatible to 1600, CL = 11 (-125).
PDF: 09005aef8537e66f
4Gb_auto_DDR3L.pdf - Rev. C 2/14 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT41K512M8RH-125AAT:E相似产品对比

MT41K512M8RH-125AAT:E MT41K512M8RH-125AIT:E MT41K256M16HA-107AAT:E
描述 DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78 DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology
包装说明 TFBGA, TFBGA, 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
Reach Compliance Code compliant compliant unknown
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B96
长度 10.5 mm 10.5 mm 14 mm
内存密度 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 8 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 78 78 96
字数 536870912 words 536870912 words 268435456 words
字数代码 512000000 512000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 512MX8 512MX8 256MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
筛选级别 AEC-Q100 AEC-Q100 AEC-Q100
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V 1.35 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
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