电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2SC5615-T3EB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共31页
制造商NEC(日电)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC5615-T3EB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3

2SC5615-T3EB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.065 A
基于收集器的最大容量0.9 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7000 MHz
Base Number Matches1

2SC5615-T3EB相似产品对比

2SC5615-T3EB 2SC5615-EB-A 2SC5615-FB-A 2SC5615-T3EB-A 2SC5615-T3FB-A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A
基于收集器的最大容量 0.9 pF 0.9 pF 0.9 pF 0.9 pF 0.9 pF
集电极-发射极最大电压 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 e6 e6 e6 e6
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 306  570  1026  1390  1465 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved