5082-2750: 产品描述Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 1600ohm Z(V) Max, Silicon, 44, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小11KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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5082-2750概述

Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 1600ohm Z(V) Max, Silicon, 44, 2 PIN

5082-2750规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明	O-XEMW-N2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	MIXER DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
最大阻抗	1600 Ω
最小阻抗	1200 Ω
JESD-30 代码	O-XEMW-N2
元件数量	1
端子数量	2
最大工作频率	15 GHz
最小工作频率	1 GHz
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-60 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	MICROWAVE
最大功率耗散	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
最小正切信号灵敏度	55 dBm
技术	SCHOTTKY
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
Base Number Matches	1

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5082-2750

SCHOTTKY BARRIER DIODE

PACKAGE STYLE 44

DESCRIPTION:

The

ASI 5082-2750

is a Silicon Small

Signal Schottky Diode Designed for

UHF/VHF Mixers, and Video Detector

Applications. Color Dot Indicates

Cathode.

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

SOLD

10 mA

4.0 V

100 mW @ T

= 25 °C

-60 °C to +150 °C

t = 5.0 Sec. +260 °C

CHARACTERISTICS

SYMBOL

= 10

µA

= 0 V

= 25 °C

TEST CONDITIONS

MINIMUM

4.0

f = 1.0 MHz

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

1.0

-55

1.2

5.0

1.6

dBm

KΩ

Ω

mV/µW

f = 10 GHz

P = -40 dBm

= 100 KΩ

f = 10 GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1202

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without

REV. A

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