5082-3306概述

Pin Diode, 70V V(BR), Silicon

5082-3306规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Broadcom(博通)
包装说明	O-CEMW-N2
Reach Compliance Code	unknown
应用	ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压	70 V
配置	SINGLE
最大二极管电容	0.45 pF
二极管元件材料	SILICON
最大二极管正向电阻	1 Ω
二极管类型	PIN DIODE
频带	KU BAND
JESD-30 代码	O-CEMW-N2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	1.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

	5082-3306	5082-3305
描述	Pin Diode, 70V V(BR), Silicon	Pin Diode, 70V V(BR), Silicon
厂商名称	Broadcom(博通)	Broadcom(博通)
包装说明	O-CEMW-N2	O-CEMW-N2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
应用	ATTENUATOR; SWITCHING	ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压	70 V	70 V
配置	SINGLE	SINGLE
最大二极管电容	0.45 pF	0.4 pF
二极管元件材料	SILICON	SILICON
最大二极管正向电阻	1 Ω	1 Ω
二极管类型	PIN DIODE	PIN DIODE
频带	KU BAND	KU BAND
JESD-30 代码	O-CEMW-N2	O-CEMW-N2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	MICROWAVE	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	1.25 W	0.7 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	END	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件