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2SA1486-M-AZ

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共3页
制造商NEC(日电)
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2SA1486-M-AZ概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SA1486-M-AZ规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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