MTPIRFF9130T257N,MTPIRFF9130T257N pdf中文资料,MTPIRFF9130T257N引脚图,MTPIRFF9130T257N电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MTPIRFF9130T257N

MTPIRFF9130T257N: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1010KB，共7页; 制造商Minco Technology Labs LLC

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MTPIRFF9130T257N概述

Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN

MTPIRFF9130T257N规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Minco Technology Labs LLC
零件包装代码	TO-257AA
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	11.2 A
最大漏极电流 (ID)	11.2 A
最大漏源导通电阻	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA
JESD-30 代码	R-XSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

MTPIRFF9130T257N相似产品对比

	MTPIRFF9130T257N	MTPIRFF9130T39MP
描述	Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
零件包装代码	TO-257AA	TO-39
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	11.2 A	6.5 A
最大漏极电流 (ID)	11.2 A	6.5 A
最大漏源导通电阻	0.4 Ω	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257AA	TO-39
JESD-30 代码	R-XSFM-P3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	METAL
封装形状	RECTANGULAR	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	CYLINDRICAL
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	75 W	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A	26 A
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	WIRE
端子位置	SINGLE	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ