IDT71P72104S167BQ,IDT71P72104S167BQ pdf中文资料,IDT71P72104S167BQ引脚图,IDT71P72104S167BQ电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT71P72104S167BQ: 产品描述QDR SRAM, 2MX9, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小507KB，共20页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71P72104S167BQ概述

QDR SRAM, 2MX9, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

IDT71P72104S167BQ规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	167 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最小待机电流	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

IDT71P72104S167BQ相似产品对比

	IDT71P72104S167BQ	IDT71P72104S250BQ	IDT71P72204S167BQ	IDT71P72204S200BQ	IDT71P72104S200BQ	IDT71P72204S250BQ
描述	QDR SRAM, 2MX9, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	0.5 ns	0.45 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)	167 MHz	250 MHz	167 MHz	200 MHz	200 MHz	250 MHz
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	16777216 bit	16777216 bit	18874368 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	9	9	8	8	9	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX9	2MX9	2MX8	2MX8	2MX9	2MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

IDT71P72104S167BQ

IDT71P72104S167BQ概述

IDT71P72104S167BQ规格参数

IDT71P72104S167BQ相似产品对比

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