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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 28LV010RTFE-20

28LV010RTFE-20: 产品描述EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32; 产品类别存储存储; 文件大小323KB，共21页; 制造商Maxwell_Technologies_Inc.

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28LV010RTFE-20概述

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32

28LV010RTFE-20规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-XDFP-F32
长度	20.828 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.175 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	12.192 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms
Base Number Matches	1

28LV010RTFE-20相似产品对比

	28LV010RTFE-20	28LV010RTFE-25	28LV010RTDE-25	28LV010RTDE-20
描述	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, DIP-32	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, DIP-32
零件包装代码	DFP	DFP	DIP	DIP
包装说明	DFP,	DFP,	DIP,	DIP,
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns	250 ns	250 ns	200 ns
JESD-30 代码	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32
长度	20.828 mm	20.828 mm	40.64 mm	40.64 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DFP	DFP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.175 mm	3.175 mm	5.715 mm	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12.192 mm	12.192 mm	15.24 mm	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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