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FMMJ112TA: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小26KB，共1页; 制造商Diodes Incorporated

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FMMJ112TA概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

	FMMJ112TA	FMMJ113TA
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
厂商名称	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	SINGLE	SINGLE
最大漏源导通电阻	50 Ω	100 Ω
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)	5 pF	5 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ