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5962-8751421YA

产品描述EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小332KB,共12页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-8751421YA概述

EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

5962-8751421YA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN, LCC32,.45X.55
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间200 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.95 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度2.54 mm
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
宽度11.4 mm
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