DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | SODIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM200,24 |
针数 | 200 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4294967296 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 200 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64MX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM200,24 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.04 A |
最大压摆率 | 1.64 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm |
端子位置 | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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