Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1200V V(BR)CES
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 800 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
元件数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs) | 6000 W |
VCEsat-Max | 3.5 V |
Base Number Matches | 1 |
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