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GP800DHB12T

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1200V V(BR)CES
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小325KB,共11页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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GP800DHB12T概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1200V V(BR)CES

GP800DHB12T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)800 A
集电极-发射极最大电压1200 V
门极-发射极最大电压20 V
元件数量2
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)6000 W
VCEsat-Max3.5 V
Base Number Matches1

 
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