Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GLZ3.3A_R1_10001

文档预览

GLZ3.3A_R1_10001: 产品描述Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.5W,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小146KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

GLZ3.3A_R1_10001概述

Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.5W,

GLZ3.3A_R1_10001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	70 Ω
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-LELF-R2
膝阻抗最大值	1000 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	3.3 V
最大反向电流	20 µA
反向测试电压	1 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
最大电压容差	4.24%
工作测试电流	20 mA
Base Number Matches	1

GLZ3.3A_R1_10001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GLZ2.0 SERIES

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

0.055(1.4)DIA.

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MINI-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.001 ounces, 0.03 grams.

• Mounting Position: Any

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

T/R - 10K per 13" plastic Reel

0.020(0.5)

0.012(0.3)

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

= 25

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

-55 to + 175

-65 to + 175

Units

TOT

STG

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

= 100mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

November 25,2011-REV.04

0.063(1.6)

PAGE . 1

推荐资源

dspic30f4011支持浮点运算吗: 在中断中加了小数运算后程序总出错，求教育...; syn222 单片机

DIY---锉刀变匕首: 前几天收拾出来一把锉刀，当初是在大学的时候买的，到现已经没有多少纹路了，就仍在一边了，前几天才翻出来，今天中午回家吃饭的时候，利用吃饭的时间打造了一把锋利的匕首。我觉得锉刀的材料 ......; RF-刘海石 DIY/开源硬件专区

USB识别问题: USB2.0设备插入电脑里面，电脑显示USB1.1是什么原因呢？主控是支持2.0的 ...; WCJ2580 分立器件

uboot生成随机的MAC地址: uboot生成随机的MAC地址 R.wen 由于设备量产需要每台机器的MAC地址都不一样，所以我们给Uboot增加一个环境变量sysready，用来表示如果系统没有ready，就做一些额外的初始化工作 ......; Wince.Android 嵌入式系统

在Tornado中如何发送一帧数据到电表？: 写一个简单的函数，实现和电表的简单通讯....; jakysong 嵌入式系统

不仅英特尔，消息称美国政府考虑入股美光、三星和台积电

8月20日消息，据路透社报道，两位消息人士透露，美国商务部长霍华德・卢特尼克正在研究联邦政府通过《芯片法案》资金换取芯片制造商股权的可能性。卢特尼克正在探索美国如何通过《芯片法案》资金换取美光、台积电和三星等公司的股权。目前，大部分资金尚未发放。一位白宫官员和一位知情人士称，卢特尼克正在考虑在英特尔获得现金补贴的情况下换取其股权。白宫新闻秘书卡罗琳・利维特周二确认，卢特尼克正在与英特尔商...[详细]
台积电将对2/3/5nm制程大涨价

11月7日消息，台积电已开始通知包括苹果在内的主要客户有关进一步涨价事宜，主要针对5nm及其以下先进制程的。台积电已开始向主要客户发出低于5纳米先进制程芯片将涨价的通知，这涵盖苹果等客户，而此次涨价幅度预计为8-10%，将于明年实施。台积电据称已告知客户，包括苹果在内，2nm芯片定价将比3nm高至少50%。主要原因在于新制程节点需要极高的资本支出，且当前良率刚刚达到理想水平，无任何折扣策略。...[详细]
英飞凌IPOSIM平台加入基于SPICE的模型生成工具，助力提升系统级仿真精度

【2025年10月27日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出的英飞凌功率仿真平台（IPOSIM）被广泛用于计算功率模块、分立器件及盘式器件的损耗与热特性。目前，该平台已集成一款基于SPICE（电路仿真程序）的模型生成工具，可将外部电路和栅极驱动器选型纳入系统级仿真。该工具通过充分考虑器件的非线性半导体物理特性，提供更加精确的静态、动态及热性能结果，实现了在广泛工况下的深度器件对比，并加...[详细]
阿斯麦EUV光刻机实现纳米孔全晶圆级制造，推动分子传感技术发展

12月22日消息，比利时微电子研究中心（IMEC）已成功利用阿斯麦（ASML）最先进的极紫外光刻（EUV）设备，实现了纳米孔的全晶圆级制造。阿斯麦公司公关负责人将此称作其公司设备“一项出人意料的卓越生物医学应用”。鉴于纳米孔为分子传感技术开辟的广阔前景，这项突破或将成为该领域的重要进展。据了解，纳米孔的特性在生物医学领域极具研究价值。从名字不难推断，纳米孔本质上是一种微小的孔道，直径...[详细]
消息称铠侠计划 2026 年量产下代 BiCS10 332L NAND 闪存

12月11日消息，《日经亚洲》早些时候报道称，KIOXIA铠侠计划2026年启动下代BiCS103DNAND闪存的量产，支持大容量企业级固态硬盘的需求。铠侠的BiCS10采用332层堆叠技术，支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较现有的BiCS8提升59%。报道指出，BiCS8的量产晶圆厂将是岩手县北上市新落成的Fab2。▲本图左...[详细]
微软宣布未来四年将在印度投资 175 亿美元，布局 AI 与云计算业务

12月10日消息，微软计划未来四年在印度投资175亿美元（现汇率约合1238.64亿元人民币），扩大其在该南亚国家的人工智能（AI）与云计算业务布局。印度庞大的互联网用户和智能手机用户群体，正使其成为全球科技公司竞相争夺的关键市场。这项于当地时间周二宣布的投资是微软在亚洲有史以来规模最大的一笔投资，将用于2026至2029年间新建数据中心、部署AI基础设施，并开展数字...[详细]
贸泽电子授权代理知名制造商TE Connectivity逾75万种元器件

2025年12月4日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)供应全球知名连接器和传感器制造商TEConnectivity的新品和解决方案。贸泽供应来自TEConnectivity(TE)的全系列产品，共有超过75万个TE料号开放订购，并可迅速发货。其中一款新品为TEGEMnetMulti-Gig差分连...[详细]
伴芯科技重磅亮相！AI智能体重构EDA，迈向芯片自主设计闭环

中国成都，2025年11月20日–今日，在2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）现场，专注于“AI+EDA”技术创新的上海伴芯科技有限公司（以下简称“伴芯科技”或“ICBench”）正式宣布其使命：通过AI智能体（AIAgent）重构电子设计自动化（EDA）。同期发布两款全新产品，旨在打破EDA行业创新停滞的现状。伴芯科技正在通过...[详细]
就在明天 | ICCAD-Expo 2025核心亮点抢先看！

展商级别高01产业核心力量，一站式汇聚台积电、西门子EDA、安谋科技、芯原股份、华大九天、概伦电子、锐成芯微、UMC、华力微电子、成都华微电子、日月光、Globalfoundries、长电科技、海光信息等300余家国内外领军企业已集结完毕，覆盖EDA、IP、设计、制造、封测全产业链。您所熟知的名字，都将在现场与您相见！ICCAD-Expo参展厂商嘉宾级别高...[详细]
贸泽电子授权代理安森美丰富的半导体和电子元器件产品组合

2025年11月17日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)即日起开售安森美(onsemi)的最新授权产品与解决方案。贸泽拥有超过22,000种授权元器件可供订购，其中包括超过17,000种现货库存可随时发货，并提供广泛的安森美技术帮助买家和工程师将产品推向市场。安森美的智能电源和传感解决方案可用于多种应用，包括车...[详细]
ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合（包含适用于6英寸晶圆的PE1O6和适用于8英寸晶圆的PE1O8）的进一步增强。该机台采用独立双腔设计，兼容6英寸和8英寸晶圆，可实现增加产量的同时，降低成本。2024年10月16至18日，ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展（SEMiBAY2024）。在国际化合物半导体产业发展论坛上，AS...[详细]
Arm 通过新的 PyTorch 和 ExecuTorch 集成加速从云到边的人工智能，赋能开发者即刻实现性能提

Arm通过把Kleidi技术集成到PyTorch和ExecuTorch，将关键的AI性能优势从边侧拓展至云端，赋能新一代应用在ArmCPU上运行大语言模型。对普及ML工作负载的持续投入将使任一技术栈的开发者能够在最新的生成式AI模型上即刻获得显著的推理性能提升。通过扩大与云服务提供商以及主要的ML独立软件开发商合作，进一步赋能全球的AI开发者。...[详细]
美国半导体设计公司 Marvell 美满电子联合创始人周秀文去世，享年 63 岁

9月20日消息，美国芯片厂商Marvell美满电子官网发布讣告，称其联合创始人周秀文（SehatSutardja）于2024年9月18日在美国硅谷去世，享年63岁。Marvell影响力关系部门的主管MichaelKanellos在这篇文章里缅怀道，周秀文是一位富有远见的领导者、出色的工程师，也是Marvell许多人珍视的同事和朋友。周秀文博士是现代半导...[详细]
世强硬创入选深圳软件产业扶持计划，赋能电子元器件产业链上下游

摘要：该计划评选通过率低于15%。日前，深圳市工业和信息化局发布了《2024年软件产业高质量发展扶持计划》资助项目的名单公告，共有108个项目获得了总计16087万元的资助。此次资助评选通过率低于15%，申报门槛和评选难度颇高，需经过专业的项目受理、专家评审、专项审计等流程。深圳市世强元件网络有限公司（以下简称“世强元件”）凭借其打造的基于行业大数据系统的电子元器件公共智能平台世强硬创，在...[详细]
三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备

11月20日消息，三星电子韩国当地时间本月18日举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一2022年动工的研发中心开始设备安装。NRD-K半导体研发综合体占地面积10.9万平方米，将成为三星电子DS部下属三大事业部（存储器、系统LSI和Foundry）的共同核心研发基地，到2030年这一项目将累计获得约20万亿韩元（IT之家...[详细]

小广播

热搜元器件