Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-3P |
| 包装说明 | TO-3P, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 140 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| FJA4210R | FJA4210Y | FJA4210O | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| 包装说明 | TO-3P, 3 PIN | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A | 10 A | - |
| 集电极-发射极最大电压 | 140 V | 140 V | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 | 90 | - |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 100 W | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
| 标称过渡频率 (fT) | 30 MHz | 30 MHz | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
测试/测量
微控制器 MCU
FPGA/CPLD
嵌入式系统
嵌入式系统
国产芯片交流
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