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FX608TL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.4ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FX608TL概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.4ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FX608TL规格参数

参数名称属性值
Objectid1454193466
包装说明FLATPACK, R-PDFP-F6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDFP-F6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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