2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24
2K × 8 非易失性存储器模块, 70 ns, PDIP24
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
最大工作温度 | 70 Cel |
最小工作温度 | 0.0 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V |
最大存取时间 | 70 ns |
加工封装描述 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | IN-LINE |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子间距 | 2.54 mm |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | COMMERCIAL |
内存宽度 | 8 |
组织 | 2K X 8 |
存储密度 | 16384 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 2048 words |
位数 | 2K |
内存IC类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
串行并行 | PARALLEL |
M48Z08-150PC1 | M48Z08-70PC6 | M48Z08-200PC6 | M48Z08-70PC1 | M48Z08-200PC1 | M48Z08-150PC6 | |
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描述 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP24 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 |
最大工作温度 | 70 Cel | 70 Cel | 70 Cel | 70 Cel | 70 Cel | 70 Cel |
最小工作温度 | 0.0 Cel | 0.0 Cel | 0.0 Cel | 0.0 Cel | 0.0 Cel | 0.0 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
最大存取时间 | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
加工封装描述 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CAPHAT, PLASTIC, DIP-24 |
无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
工艺 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子间距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子涂层 | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
组织 | 2K X 8 | 2K X 8 | 2K X 8 | 2K X 8 | 2K X 8 | 2K X 8 |
存储密度 | 16384 deg | 16384 deg | 16384 deg | 16384 deg | 16384 deg | 16384 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
内存IC类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
串行并行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
位数 | 2K | 2K | 2K | 2K | 2K | 2K |
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