0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最大输出电流 | 0.15 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间 | 0.003 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| HSK120TL | HSK120TR | HSK120TL-E | HSK120TR-E | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE | 0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e6 | e6 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 最大输出电流 | 0.15 A | 0.15 A | 0.15 A | 0.15 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间 | 0.003 µs | 0.003 µs | 0.003 µs | 0.003 µs |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN BISMUTH | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END | END | END | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 20 | 20 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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