NDT3055/L99Z,NDT3055/L99Z pdf中文资料,NDT3055/L99Z引脚图,NDT3055/L99Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDT3055/L99Z

NDT3055/L99Z: 产品描述4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小163KB，共6页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

NDT3055/L99Z概述

4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

NDT3055/L99Z规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	4 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	25 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	125 ns
最大开启时间（吨）	75 ns
Base Number Matches	1

NDT3055/L99Z相似产品对比

	NDT3055/L99Z	NDT3055/J23Z	NDT3055/D84Z	NDT3055/S62Z	NDT3055
描述	4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261	4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261	4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261	4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω	0.1 Ω	0.1 Ω	0.1 Ω	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G3	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	4	3	4	4	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1.1 W	1.1 W	1.1 W	1.1 W	1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	125 ns	125 ns	125 ns	125 ns	125 ns
最大开启时间（吨）	75 ns	75 ns	75 ns	75 ns	75 ns
JEDEC-95代码	TO-261	-	TO-261	TO-261	TO-261
Base Number Matches	1	1	1	-	-

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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