AT34C02CY6-YH-E,AT34C02CY6-YH-E pdf中文资料,AT34C02CY6-YH-E引脚图,AT34C02CY6-YH-E电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AT34C02CY6-YH-E

AT34C02CY6-YH-E: 产品描述EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, UDFN-8; 产品类别存储存储; 文件大小668KB，共21页; 制造商Atmel (Microchip)

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AT34C02CY6-YH-E在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
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AT34C02CY6-YH-E概述

EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, UDFN-8

AT34C02CY6-YH-E规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Atmel (Microchip)
包装说明	HVSON,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
长度	3 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

AT34C02CY6-YH-E相似产品对比

	AT34C02CY6-YH-E
描述	EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, UDFN-8
厂商名称	Atmel (Microchip)
包装说明	HVSON,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
长度	3 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
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