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5962-8751409XA

产品描述EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
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文件大小306KB,共12页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-8751409XA概述

EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

5962-8751409XA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间200 ns
其他特性HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
长度37.25 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小32 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.72 mm
最大待机电流0.00025 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)2 ms
Base Number Matches1
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