Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LFQFP, |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 25 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 8K X 16 |
JESD-30 代码 | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 14 mm |
内存密度 | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFQFP |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
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