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302GD061-359CTVU

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB,共1页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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302GD061-359CTVU概述

Insulated Gate Bipolar Transistor,

302GD061-359CTVU规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

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SKiiP 302 GD 061 - 359 CTV
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
isol 4)
T
op
,T
stg
Conditions
AC, 1min
Operating / stor. temperature
1)
Values
2500
-25...+85
600
400
300
-40...+150
300
600
3000
45
18
30
20
75
Units
V
°C
V
V
A
°C
A
A
A
kAs
2
V
V
kHz
kV/µs
IGBT and Inverse Diode
V
CES
V
CC 5)
Operating DC link voltage
I
C
IGBT
3)
T
j
IGBT + Diode
I
F
Diode
I
FM
Diode, t
p
< 1 ms
I
FSM
Diode, T
j
= 150 °C, 10ms; sin
2
I t (Diode) Diode, T
j
= 150 °C, 10ms
Driver
V
S1
Stabilized Power Supply
V
S2
Non-stabilized Power Supply
f
smax
Switching frequency
dV/dt
Primary to secondary side
SKiiPPACK
®
SK integrated intelligent
Power PACK
3-phase bridge
SKiiP
7,9)
302 GD 061 - 359 CTV
Preliminary Data
Case S3
Characteristics
Symbol
IGBT
11)
V
(BR)CES
I
CES
V
TO
r
T
V
Cesat
V
Cesat
E
on
+ E
off
C
CHC
L
CE
Conditions
1)
min.
≥V
CES
typ.
4,5
0,8
15
max.
0,4
0,94
6,4
2,9
2,65
27/38
1,72
1,75
9
0,78
3,3
0,150
0,250
36
Units
V
mA
mA
V
mΩ
V
V
mJ
nF
nH
V
V
mJ
V
mΩ
K/W
K/W
K/KW
mA
mA
µs
A
A
°C
V
Driver without supply
V
GE
= 0,
T
j
= 25 °C
V
CE
= V
CES
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
I
C
= 300A,
T
j
= 125 °C
I
C
= 300A,
T
j
= 25 °C
V
CC
=300/400V,I
C
=300A
T
j
= 125 °C
per SkiiP, AC side
Top, Bottom
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
Inverse Diode
2)
V
F
= V
EC
I
F
= 300A;
V
F
= V
EC
I
F
= 300A
E
on
+ E
off
I
F
= 300A;
V
TO
T
j
= 125 °C
r
T
T
j
= 125 °C
Features
Short circuit protection, due to
evaluation of current sensor
signals
Isolated power supply
Low thermal impedance
Optimal thermal management
with integrated heatsink
Pressure contact technology
with increased power cycling
capability, compact design
Low stray inductance
High power, small losses
Over-temperature protection
1)
2)
3)
4)
Thermal Characteristics
R
thjs10)
per IGBT
10)
R
thjs
per Diode
6,10)
R
thsa
P16 heatsink; see case S3
Driver
I
S1
Supply current 15V-supply
I
S2
Supply current 24V-supply
t
interlock-driver
Interlock-time
SKiiPPACK protection
I
TRIPSC
Short circuit protection
I
TRIPLG
Ground fault protection
T
TRIP
Over-temp. protection
9)
U
DCTRIP
U
DC
-protection
Mechanical Data
M1
DC terminals, SI Units
M2
AC terminals, SI Units
5)
6)
7)
340+360*f
s
/f
smax
+3,5*I
AC
/A
250+240*f
s
/f
smax
+2,6*I
AC
/A
2,3
375
87
115
410
4
8
11.01.99
6
10
9)
10)
11)
T
heatsink
= 25 °C, unless
otherwise specified
CAL = Controlled Axial Lifetime
Technology (soft and fast)
without driver
Driver input to DC link /
AC output to DC link / AC
output to heatsink
with Semikron-DC link (low
inductance)
other heatsinks on request
C - Integrated current sensors
T - Temperature protection
V - 15 V or 24 V power supply
options available for driver:
U - DC link voltage sense
F – Fiber optic connector
s
” referenced to temperature
sensor
NPT-technology with homo-
genous current-distribution
Nm
Nm
©by
SEMIKRON
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